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“基本原理是在二维电子气中，强磁场使电子的连续能带塌缩为分立的朗道能级（）。
在理想情况下，这些朗道能级是高度简并的，电子态密度在能级处呈现一系列δ函数状的峰。”
“霍尔电阻（$R_{}$）被量子化：$R_{}={h}{^2}$
$h$是普朗克常数，$e$是元电荷，$$是填充因子，可以是整数（整数量子霍尔效应，）或分数（分数量子霍尔效应，）。
纵向电阻（$R_{}$）在霍尔平台处降为零，意味着电子在边缘进行无耗散的传输。”
虽然只是基本原理，但是王雨菲表达的很清楚。
传统半导体的
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“基本原理是在二维电子气中，强磁场使电子的连续能带塌缩为分立的朗道能级（）。
在理想情况下，这些朗道能级是高度简并的，电子态密度在能级处呈现一系列δ函数状的峰。”
“霍尔电阻（$R_{}$）被量子化：$R_{}={h}{^2}$
$h$是普朗克常数，$e$是元电荷，$$是填充因子，可以是整数（整数量子霍尔效应，）或分数（分数量子霍尔效应，）。
纵向电阻（$R_{}$）在霍尔平台处降为零，意味着电子在边缘进行无耗散的传输。”
虽然只是基本原理，但是王雨菲表达的很清楚。
传统半导体的